机译:功能化氮化碳(g-CN)单层作为有前途的储能材料:密度泛函理论研究
机译:官能化氮化硼单层作为铀酰离子捕获的有希望的材料:第一原理研究
机译:氢化硼氮化物单层官能化:密度函数理论研究
机译:利用密度函数理论,用Ti和Ni金属离子装饰对碳基材料掺杂硼的能量吸附
机译:密度泛函理论的研究:泛函和相关能量密度泛函的新形式。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:沉积在G-CN单层上的过渡金属 - 原子对进行氮气还原反应:密度函数理论计算